氮化鎵龍頭英諾賽科重塑全球功率半導體競爭格局

　　英諾賽科作為全球8英寸硅基氮化鎵晶圓量產先鋒，截至2024年6月30日，月產能達12，500片，為自主創新與新品試煉筑牢根基。超700項專利及申請涵蓋芯片多領域，制造賦能研發，研發反哺制造，芯片成本、交付、工藝迭代全面優化，產品競爭力超群。

　　公司成本管控卓有成效，直擊客戶痛點開發產品，精細打磨制造工藝，整合供應鏈壓低成本。8英寸硅基氮化鎵晶圓良率超95%，單位晶圓晶粒產出飆升80%、芯片成本大降30%，產能利用率達72.8%，運營高效。

　　依托中國完備供應鏈，英諾賽科在制造自主、人才匯聚上領先一步，與眾多消費電子品牌緊密合作，新品開發、出貨一馬當先，又將觸角伸向數據中心、電動汽車等前沿，供應鏈優勢盡顯。前瞻布局應用生態。公司成立以來，一直致力于建設廣泛的氮化鎵應用生態，不斷推出創新產品。

　　以最新推出的100V半橋氮化鎵功率芯片ISG3201為例，適用于48V功率系統、電動工具等高頻高功率場景。VGaN系列產品INN040W048A屬于全球首款雙向導通氮化鎵器件，能夠應用于智能手機USB/無線充電端口。

　　當下，AI、電動汽車、機器人蓬勃興起，氮化鎵憑高頻、高能效優勢在功率半導體領域嶄露頭角。弗若斯特沙利文預測2023-2028年全球氮化鎵功率半導體市場規模飆升，復合增長率達98.5%，中國“十四五”規劃亦大力扶持。英諾賽科站在時代潮頭，破解IDM“重資產困境”，以“全供應鏈+研發制造協同+全應用生態”全新矩陣，改寫盈利速度，重塑全球功率半導體競爭格局，奏響行業發展最強音。

　　未來，在AI服務器、機器人和EV等新興技術蓬勃興起的大背景下，英諾賽科不僅為行業樹立了如何在保證性能的同時降低成本的標桿，更為中國半導體產業實現彎道超車提供了范例，其未來發展值得全球矚目。